第328章【第三代蔚蓝手机研发进行时】
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罗晟吃完早餐之后顺带做了一个全身spa，上午10点左右开始工作，不过地点是在科技综合体大厦。
今天是周末，对于休息日，罗晟已经不会在这种时间点上处理公司上的事情，而是做自己的私人研究，捣鼓自己的黑科技。
除非是公司除了什么特别紧急的大事情。
“主人(oﾟ▽ﾟ)o，曙光科技最新一批的硬件设备会在明天送达。”
罗晟刚刚在他的私人办公室里坐下，小娜的声音就传入了耳朵里了。
罗晟点点头随意道：“先放仓库里边。”
小娜：“主人又要为小娜升级啦？”
罗晟在办公桌里坐着，背靠椅子双手抱着后脑勺闭目思考着：“对。”
小娜：“(⁎˃ᴗ˂⁎)主人棒棒哒，超级期待，嘤嘤嘤~~”
超级计算机的升级当然非常依赖半导体技术的进步，但更关键的还是在于系统架构和算法，算法永远是计算机或人工智能的灵魂与核心。
同样做到一个指令，a算法需要100步才能实现，但b算法只需要10步就能实现，孰优孰劣高下立判。
罗晟这次要给自己的私人超算强行升级，硬件这一块肯定是在短时间内做不到的，这太依赖半导体业的技术发展，现在以英特尔为代表的半导体业才做到45~32纳米制程工艺水准。
纵观整个半导体芯片行业，牙膏厂是业界率先推出32纳米工艺处理器的芯片厂商，而现在主流工艺还是45纳米，至于7纳米、5纳米工艺处理器在这个时代简直就是科幻级别的。
而国内目前的芯片工艺，一言难尽，不说也罢。
显然，硬件升级一时半会儿是不要想了，只能从系统架构和算法这两条路尽可能的在现有硬件基础下提升私人超算的性能。
对于外人来说这很困难，超级难，但对于罗晟来说开发新算法反而是很简单的事情，甚至一个人就可以搞定了，现在的小娜也可以协助他进一步提高开发效率。
这一次完成升级之后，科技综合体大厦内的私人超算的性能将会提升十倍左右，由百万亿次运算速度上升到千万亿量级。
堪称黑科技。
目前，罗晟的私人超算“娜芙”，也就是小娜正式名来命名的，其性能是每秒230万亿次的运算速度。
换而言之，罗晟这次为其升级之后将会达到至少每秒2000万亿次以上的运算速度，估摸着大约要一个半月的时间完成此次升级计划，硬件上需要一些更换，这次大升级的总预算大约需要1.2亿元人民币左右。
届时，将会超越当前美国能源部，坐落于橡树岭国家实验室的“美洲豹”。
在2009年的超算五百强排行榜中，“美洲豹”目前以每秒1800万亿次的运算速度名列榜首，而且是一台民用计算机，主要用于模拟气候变化、能源产生以及其他基础科学的研究等等。
罗晟的私人超算当然也能无压力胜任这些任务，但根本目的还是为了给小娜升级优化，这是第一优先级，小娜获得升级优化带来的是整体效益的提高。
有着无与伦比的意义。
为小娜升级优化只是罗晟个人工作的一部分，这需要一个多月的时间才能完成此轮更新升级，而他也不可能把自己所有的时间都用在这上面，不然半个月就可以搞定。
罗晟现在还没有正式卸任两家公司ceo的职务，一些重大的会议他得参与，但大部分时间已经用在了科技研发上来。
进入2009年以来，罗晟的工作重心基本都在搞开发。
五月份开始，他从蓝星科技的云计算开发团队中脱离出来，bluestack开源云平台他已经不管了，基本上交给了下面的技术团队和陆奇在运营这一业务板块。
罗晟则把精力放在了蔚蓝海岸的第三代蔚蓝手机的研发上，今年的蔚蓝海岸要发布最新一代的智能手机。
……
蓝思半导体，移动处理器事业部。
“45纳米工艺引入了高k值绝缘层/金属栅极配置，这是一个里程碑的成果，英特尔开发了这项技术。这两项技术其实都是为了解决同一个问题：即在很小的尺寸下，如何保证栅极有效的工作。”
说话的人是徐至军，目前他还担任着蓝思半导体的ceo，不过在移动处理器事业部他没有过多的话语权，这里是罗晟有最终拍板权，也是蓝思半导体比较特权的一个事业部，而且有独立的研发大楼，这是在双方合资成立这家公司的时候就已经约定好了。
但双方都打通了人才壁垒和专利壁垒，这一点很关键。
这场会议罗晟也在场，还有好几位科学家、研究学者、这里面包含了一些数学家等等，都汇聚在这件会议室里研讨。
现在讨论的重点就是第三代蔚蓝手机的处理器，新产品的芯片处理器采用的是45纳米制程工艺，这已经确定了，而且很多技术已经搞定了。
一位资深研究专家环视众人说道：“我们的研发部门想到的是用金属做栅极，因为金属有一个效应叫做镜像电荷，可以中和掉高k材料的绝缘层里的偶极子对沟道和费米能级的影响。这样一来就两全其美了，但这几种金属究竟是什么，除了掌握该技术的那几家西方高科技企业之外，外界没人知道，这是他们的商业机密。”
绝缘层是晶体管所有的构件中，最为关键的一个，它的作用是隔绝栅极和沟道。因为栅极开关沟道是通过电场进行的，而电场的产生又是通过在栅极上加一定的电压来实现。
欧姆定律告诉人类，有电压就有电流。
如果电流从栅极流进了沟道，那还谈什么开关？
早就漏了。
另一位与会研究学者发言道：“二氧化硅虽好，但在尺寸缩小到一定限度时也出现了问题。在此过程中，电场强度是不变的，那么从能带角度来看，因为电子的波动性，如果绝缘层很窄很窄的话，就有一定几率电子会发生隧穿效应而越过绝缘层的能带势垒，产生漏电流。”
说着，这名学者比划着道：“可以想象为穿过一堵比自己高的墙，这个电流的大小和绝缘层的厚度，以及绝缘层的‘势垒高度’成负相关。因此厚度越小，势垒越低，漏电流越大，对晶体管越不利。另一方面，晶体管的开关性能、工作电流等都需要有一个很大的绝缘层电容。”
“可以看出，这里已经出现了一堆设计目标上的矛盾，绝缘层的厚度要不要继续缩小，实际上在这个节点之前，二氧化硅已经缩小到了不到两个纳米的厚度，也就是十几个原子层的厚度，漏电流的问题已经取代了性能问题成为了头号大敌。”
说到这里，会议室里一众学者都安静了下来。
坐在这里的都是最聪明的那批人类，有问题当然开始想办法。
人类是很贪心的，既不愿意放弃大电容的性能增强，也不愿意冒漏电的风险。
现在的情况是，需要一种材料，需要介电常数很高，同时能带势垒也很高，如此一来就可以在厚度不缩小的情况下，继续提升电容。
换句话说就是保护漏电流，又能提高开关性能这样的材料。
在学术界，近些年陆续提出了各种脑洞大开的新设计，比如隧穿晶体管、负电容效应晶体管、碳纳米管等等。
但其实所有这些设计，基本上就四个方向，材料、机理、工艺和结构。
这时，徐至军瞄了眼罗晟然后环顾众人发言道：“石墨烯晶体管呢？石墨烯作沟道的思路是第二项，就是运输，因为石墨烯的电子迁移率远远高于硅。”
此话一出，一位学者摇头说道：“这种神奇的材料的确很有想象空间，但问题是石墨烯晶体管没有什么进展，大多都是概念和理论阶段，还有石墨烯有个硬伤，就是不能饱和电流，但我注意到西方学术界有人表示未来或许可以做到调控石墨烯的能带间隙打开到关闭，不再仅仅是零带隙，不管怎么说石墨烯是一个很有未来前进的材料，但现在谈这个未免为时过早。”
徐至军旋即看向罗晟问道：“罗总，你怎么看？”
此时，罗晟正看着会议大屏幕上的数据信息和一个理论模型，众人也齐刷刷的把目光落在了他的身上，后者盯着屏幕上的数据和函数模型说道：
“听你们的讨论，我一直在思考一个问题，既然电子是在沟道中运动，那我为什么非要在沟道下面留有这么大一片耗尽层呢？当然里面的理由我知道，因为物理模型需要这片区域来平衡电荷。但是在短沟道器件里面，没有必要非要把耗尽层和沟道放在一起，等着漏电流白白地流过去。”
一群学者面面相觑，这个问题他们从来没有想过。
罗晟打了个响指，示意一位学者然后盯着会议大屏幕上的数据模型说道：
“按我说的修改一下，把这部分硅直接给我拿掉，换成绝缘层，绝缘层下面才是剩下的硅，这样沟道就和耗尽层分开了，因为电子来源于两极，但是两极和耗尽层之间被绝缘层隔开了，这样除了沟道之外，就不会漏电了。”
所有人都眼前一亮，仿佛拨云见雾一般豁然开朗。
大家都是人类当中智商最顶尖的那批人，罗晟这么一说瞬间就懂了。
徐至军颇为振奋的说道：“绝妙的点子，罗总不愧是设计天才，一语中的，深切要害啊！我们这么多人怎么就没有想到呢？”
……
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